В настоящее время все более широкое применение получают операционные усилители, выполненные в виде полупроводниковых интегральных микросхем. Такой операционный усилитель представляет собой пластинку кремния толщиной 0,3—0,4 мм с линейными размерами порядка нескольких миллиметров, на которой методами технологии в локальных областях выполнены транзисторы, диоды и резисторы. Микросхема является законченной конструкцией и помещается в плоский или модифицированный транзисторный корпус. Операционные усилители разрабатываются на базе дифференциальных каскадов с гальваническими связями. Операционный усилитель содержит минимум два дифференциальных каскада и выходной каскад. Одна из возможных схем операционного твердотельного усилителя (без внешних элементов, природа которых — определяется конкретным назначением усилителя. Для обеспечения высокого входного сопротивления в первом каскаде использованы составные транзисторы. Диоды в базовых цепях транзисторов служат для компенсации температурных изменений коллекторных токов. Схемная сложность твердотельных операционных усилителей по сравнению с аналогами, выполненными на дискретных элементах, объясняется необходимостью согласования потенциалов при использовании непосредственных связей между каскадами и ограничениями в номиналах резисторов, присущими полупроводниковым интегральным схемам. В источниках стимулирующих сигналов низкой частоты задающим генератором может служить генератор с фазирующей цепочкой. Собственно генератор с четырехзвенной цепочкой типа «А-параллель» собран на транзисторе. Повторитель на транзисторе является выходным согласующим каскадом. Нужный диапазон частот обеспечивается выбором емкостей конденсаторов, а плавная регулировка частоты осуществляется изменением сопротивления резистора.